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标题:Molex 3092011连接器CONN PLUG HSG 1POS .093的应用和介绍 Molex(莫仕)3092011连接器CONN PLUG HSG 1POS .093是一款适用于各种电子设备的连接器,具有广泛的应用领域。本文将详细介绍这款连接器的特点、应用场景以及优势,帮助读者更好地了解其应用和介绍。 一、产品特点 Molex 3092011连接器CONN PLUG HSG 1POS .093具有以下特点: 1. 高品质材料:连接器采用优质材料制造,具有较高的耐久性和可靠性。
标题:Nisshinbo NJU7014R-TE2芯片VSP-8:高效、精确的100 mV/us 5.5 V技术方案与应用介绍 随着科技的飞速发展,电子设备对精确度与效率的要求越来越高。Nisshinbo的NJU7014R-TE2芯片VSP-8以其独特的性能特点,为各类应用提供了高效、精确的技术解决方案。该芯片以100 mV/us的高精度电压输出,配合5.5 V的工作电压,在各类电子设备中发挥着重要作用。 技术特点: 1. 高精度电压输出:NJU7014R-TE2芯片以100 mV/us的高精
标题:JST杰世腾EHR-10连接器CONN RCPT HSG 10POS 2.50MM的技术和方案应用介绍 JST杰世腾是一家全球知名的连接器制造商,其EHR-10连接器以其高品质和出色的性能而备受赞誉。本文将介绍EHR-10连接器的CONN RCPT HSG 10POS 2.50MM规格,以及如何将其应用于各种技术方案中。 一、CONN RCPT HSG 10POS 2.50MM规格 CONN RCPT HSG 10POS是一种具有高导电性和高耐久性的连接器,其尺寸为10POS,即10个针
标题:Infineon(IR) IRGS4B60KD1TRRP功率半导体IGBT技术与应用介绍 Infineon(IR)的IRGS4B60KD1TRRP功率半导体IGBT是一款具有出色性能的11A,600V N CHANNEL功率半导体器件。这款器件以其高电流密度,高耐压,低导通电阻和高开关速度等特点,在各种电源和电机控制应用中发挥着关键作用。 首先,IRGS4B60KD1TRRP IGBT采用了Infineon(IR)的先进技术,如平面技术、复合层设计和高掺杂技术等,实现了其优秀的电气性能和
标题:HRS广濑DF1B-2428PC连接器:PIN 24-28AWG,CRIMP TIN技术及其应用介绍 HRS广濑的DF1B-2428PC连接器是一款广泛应用于电子设备中的小型连接器,其独特的PIN 24-28AWG,CRIMP TIN技术使其在众多应用场景中表现出色。 首先,关于连接器的材质,DF1B-2428PC使用的是高精度的铜合金材料,这种材料具有优良的导电性能和机械强度,能够确保连接器的稳定性和可靠性。连接器的端子部分采用了CRIMP TIN工艺,这是一种压接镀金工艺,能够显著提
Nuvoton新唐ISD4002-120EY芯片IC:VOICE REC/PLAY 2MIN 28TSOP的技术和方案应用介绍 Nuvoton新唐ISD4002-120EY芯片IC是一款高性能的语音录放芯片,具有2分钟录音时间和28脚TSOP的封装形式,适用于各种需要语音录放的应用领域。本文将介绍该芯片的技术特点和方案应用。 一、技术特点 1. 录音时间:2分钟,足够大多数应用场景的需求; 2. 录音质量:采用高品质ADC,能够保证录音的音质; 3. 播放功能:支持MP3和WAV格式的音频文件
标题:RP130K281A5-TR Nisshinbo Micro日清纺微IC REG LIN 2.85V 150MA DFN1010-4芯片的技术与方案应用介绍 随着科技的飞速发展,电子设备在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。而作为电子设备中不可或缺的一部分,微芯片技术也在不断进步。今天,我们将探讨一种具有优异性能的微芯片——RP130K281A5-TR Nisshinbo Micro日清纺微IC REG LIN 2.85V 150MA DFN1010-4芯片,及其相关的技术方案应用。
标题:Ramtron铁电存储器FM24V10-GTR芯片的技术与应用介绍 Ramtron铁电存储器FM24V10-GTR芯片是一款高性能的铁电存储器,它采用先进的铁电材料技术,具有非易失性、读写速度快、耐久度高、功耗低等优点,广泛应用于各种电子设备中。 首先,让我们来了解一下铁电存储器的工作原理。铁电存储器利用铁电材料(如锆钛酸铅)中的电荷记忆能力,当铁电材料在外加电场的作用下,其电荷会随着电场的变化而变化。这种特性使得铁电存储器能够在写入后保持数据不丢失,即具有非易失性。 FM24V10-G
标题:SiTime(赛特时脉) SIT8008BC-13-33E-54.694000晶振器MEMS OSC XO 54.6940MHz H/LV-CMOS技术应用介绍 随着科技的飞速发展,SiTime(赛特时脉)的SIT8008BC-13-33E-54.694000晶振器以其独特的MEMS OSC XO技术,为我们的生活带来了诸多便利。这款晶振器采用H/LV-CMOS技术,具有精度高、稳定性强、体积小、功耗低等诸多优点,广泛应用于各类电子产品中。 首先,让我们来了解一下SiTime(赛特时脉)
标题:ISSI矽成IS43R16320F-6TL芯片IC在DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II技术中的应用方案介绍 ISSI矽成公司是业界领先的半导体制造商,其IS43R16320F-6TL芯片IC是一款高性能的DRAM产品,具有广泛的应用前景。本文将介绍ISSI矽成IS43R16320F-6TL芯片IC的特点、技术参数,以及其在DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II技术中的应用方案。 首先,ISSI矽成IS43R16320F-6TL芯片IC是一款高速DRAM芯片